IRHNJ6S7234SCS

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IRHNJ6S7234SCS
IRHNJ6S7234SCS

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    7.8 A
  • ID (@25°C) max
    12.4 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    210 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    3
  • Qualification
    QIRL
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
这款 R6 N 沟道 MOSFET 是抗辐射、250V、12.4A 器件,具有 QIRL 分类。其改进的 SEE 免疫力、低 RDS(on) 和更快的开关时间使其成为空间应用、DC-DC 转换器和电机控制器的理想选择。IRHNJ6S7234SCS 保留了 MOSFET 的所有优点,同时提供高性能功率处理和高达 100krad(Si) TID 和高达 90MeV·cm2/mg 的 LET 的电气性能。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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