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IRHNJ9A3130

数据手册
封装

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IRHNJ9A3130
IRHNJ9A3130
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL部件号
    2N7648U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET 可处理 100V、35A，电气性能高达 300krad(Si) TID 分类。IRHNJ9A3130 具有更高的抗单粒子效应 (SEE) 能力和低 RDS(on)，非常适合空间应用、DC-DC 转换器和电机控制器。MOSFET 的快速开关和电压控制是额外的好处。

应用

文档

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设计资源

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }