IRHNJ9A3130SCS

数据手册

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IRHNJ9A3130SCS
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL部件号
    2N7648U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET 是单个 MOSFET 器件，额定电压为 100V，电流处理能力为 35A。它采用 SMD-0.5 封装，专为空间应用而设计。IRHNJ9A3130SCS 的辐射耐受度高达 300krad(Si) TID，被归类为 QIRL。它具有低 RDS(on) 和快速开关时间，适合于 DC-DC 转换器和电机控制器等高速开关应用。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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