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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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IRHNKC9A97034
商品详情
-
ESD等级Class 2
-
ID (@25°C) max-32 A
-
QG48 nC
-
QPL部件号2N7659U3CE
-
RDS (on) (@25°C) max45 mΩ
-
TID max100 Krad(Si)
-
VBRDSS-60 V
-
VF max-1.3 V
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
-
封装SMD-0.5e Ceramic Lid
-
极性P
-
生成R9
-
芯片尺寸3
-
认证标准COTS
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
||
| 产品状态 | active and preferred | |
| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | Enhanced SMD0.5 | |
| 包装尺寸 | N/A | |
| 包装类型 | N/A | |
| 湿度 | N/A | |
| 防潮包装 | N/A | |
| 无铅 | No | |
| 无卤素 | Yes | |
| 符合RoHS标准 | No | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | Enhanced SMD0.5 |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
IRHNKC9A97034 P 沟道 MOSFET 具有抗辐射性能，电压为 -60V，电流为 -32A，采用单个 SMD-0.5e 增强型封装，配有陶瓷盖，电气性能高达 100krad(Si) TID。IR HiRel R9 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。