不建议用于新设计

IRHNM53110

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNM53110
IRHNM53110
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • ID (@100°C) max
    4.4 A
  • ID (@25°C) max
    6.9 A
  • QG
    15 nC
  • QPL部件号
    2N7503U8
  • RDS (on) (@25°C) max
    220 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNM53110 是一款 COTS 抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET，采用 SMD-0.2封装具有 100V、6.9A 的功能。R5 技术为空间应用提供了高性能功率 MOSFET，并提高了对单粒子效应 (SEE) 的免疫力。低 RDS(on) 和栅极电荷还可降低 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。该 MOSFET 提供电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }