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微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHNM57214SESCS
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IRHNM57214SESCS
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ESD等级Class 1B
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QG9.1 nC
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最高 RDS (on) (@25°C)1700 mΩ
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最高 TID100 Krad(Si)
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VBRDSS250 V
-
最高 VF1 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100
-
封装SMD-0.2
-
极性N
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生成R5
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电压等级100 V
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芯片尺寸1
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认证标准QIRL
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语言SPICE
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配置Discrete
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OPN
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| 无卤素 |
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IRHNM57214SESCS 是一款抗辐射 N 沟道 MOSFET，非常适合空间应用。封装在 SMD-0.2封装，其额定电压为250V，额定电流为3.7A。该 R5 MOSFET 的电气性能高达 100krad（TID）和 QIRL 分类。低 RDS(on) 和栅极电荷使其非常适合 DC-DC 转换器和电机控制，同时保留了 MOSFET 的所有优点。
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