不建议用于新设计

IRHNM57214SESCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
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封装

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IRHNM57214SESCS
IRHNM57214SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    2.4 A
  • ID (@25°C) max
    3.7 A
  • QG
    9.1 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1700 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNM57214SESCS 是一款抗辐射 N 沟道 MOSFET，非常适合空间应用。封装在 SMD-0.2封装，其额定电压为250V，额定电流为3.7A。该 R5 MOSFET 的电气性能高达 100krad（TID）和 QIRL 分类。低 RDS(on) 和栅极电荷使其非常适合 DC-DC 转换器和电机控制，同时保留了 MOSFET 的所有优点。

应用

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