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IRHNM9A3120

数据手册
封装

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IRHNM9A3120
IRHNM9A3120
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL Part Number
    2N7651U8
  • RDS (on) (@25°C) max
    55 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    1.7
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNM9A3120 是一款 SMD-0.2 封装的抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET封装该单个 MOSFET 的额定电压为 100V，额定电流为 23A，非常适合空间应用。该 COTS 部件的电气性能高达 300krad（TID），其低 RDS(on) 和快速开关时间使其非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。它保留了 MOSFET 的所有优点，同时提高了 SEE 免疫力。

应用

文档

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