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IRHNMC57110SCS
商品详情
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ESD等级Class 1A
-
ID (@100°C) max4.4 A
-
ID (@25°C) max6.9 A
-
QG15 nC
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QPL部件号2N7503U8
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RDS (on) (@25°C) max220 mΩ
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TID max100 Krad(Si)
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VBRDSS min100 V
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VF max1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
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封装SMD-0.2
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极性N
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生成R5
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IRHNMC57110SCS R5 MOSFET 是一款专为空间应用而设计的抗辐射设备。它具有 100V、6.9A 容量和低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制等高速开关应用中的功率损耗。已验证的单粒子效应 (SEE) 特性高达 80MeV·cm2/mg 的 LET。在 SMD-0.2该封装件被 QIRL 归类为可用于航天器应用。