不建议用于新设计

IRHNMC57214SESCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHNMC57214SESCS
IRHNMC57214SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@25°C) max
    3.7 A
  • QG
    9.1 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1700 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.2C
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    QIRL
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNMC57214SESCS 是一款专为空间应用而设计的抗辐射 R5 MOSFET。它提供 250V、3.7A 容量，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低高速开关中的功率损耗。已证实 SEE 的 LET 高达 80MeV·cm2/mg。它采用 SMD-0.2C 封装，符合 QIRL 标准，适用于高可靠性航天器应用，具有电气参数的温度稳定性。

应用

文档

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