IRHNME9A7120
即将推出
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IRHNME9A7120

Rad hard, 100 V, 23 A, MOSFET in SMD-0.2e Ceramic Lid package – 100 krad TID, COTS
数据手册
封装

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IRHNME9A7120
IRHNME9A7120
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@25°C)
    23 A
  • QG
    23 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    0.55 Ω
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2e
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    1
  • 质量等级
    COTS

OPN
产品状态 coming soon
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2E CLID
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态 coming soon
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2E CLID
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNME9A7120 is a R9 superjunction, rad hard, single N-channel MOSFET in a SMD-0.2e package with a ceramic lid that can handle 100 V and 23 A. It is optimal for space applications as its combination of low RDS(on) and fast switching times will allow for better performance in applications such as DC-DC converter or motor drives.

特性

  • 5 V CMOS and TTL compatible
  • Single event effect (SEE) hardened
  • Reduced CTE mismatch with PCB
  • Hermetically sealed
  • Ceramic package
  • Drop-in replacement to SMD-0.2 package
  • Light weight
  • ESD rating: Class 1A (MIL-STD-750, 1020)
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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