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IRHNPC9A3014

数据手册
封装

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IRHNPC9A3014
IRHNPC9A3014
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    1B
  • ID (@25°C) max
    10 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    70 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.1
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD0.1
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD0.1
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNPC9A3014 R9 N 沟道 MOSFET 是一款采用 SMD-0.1 封装的抗辐射、60V、10A MOSFET。其电气性能高达 300krad(Si) TID，属于 COTS 分类。该 MOSFET 为空间应用提供了卓越的功率性能，对 SEE 和 LET 的免疫力提高到 88.6 MeV·cm2/mg。其低 RDS(on) 和快速开关时间使其成为卫星总线和有效载荷系统电源设计中 DC-DC 转换器或电机驱动器的理想选择。

应用

文档

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