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微控制器
32-bit FM Arm® Cortex® Microcontroller
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2xx安全模块
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- AURIX™ 系列 – TC29xTT （ADAS）
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32 位TriCore™ AURIX™ – TC3xx
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHNPC9A7110
商品详情
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ESD Class1B
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QG9.5 nC
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QPL Part Number2N7656U9C
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RDS (on) (@25°C) max150 mΩ
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VBRDSS100 V
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PackageSMD-0.1
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PolarityN
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OPN
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Infineon stock last updated:
|
||
|
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||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD0.1 |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
IRHNPC9A7014 是单 R9 N 沟道 MOSFET，额定电压为 100V，电流为 9.0A。该抗辐射设备采用紧凑的 SMD-0.1 封装，可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。它们对 SEE 具有更好的免疫力，并且具有高达 88.6 MeV·cm2/mg 的线性能量传输 (LET) 有用性能。其较低的 RDS(on) 和快速的开关时间使空间电源系统中的 DC-DC 转换器或电机驱动器具有更好的性能。