IRHNS57163SESCS

数据手册

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IRHNS57163SESCS
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    57 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7472U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    13.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    130 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET IRHNS57163SESCS 采用 SupIR-SMD 封装。这款 QIRL 航天级 MOSFET 的额定电压为 130V，可处理高达 75A 的电流。其电气性能高达 100krad(Si) TID，非常适合空间应用。低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制器的理想选择。

应用

文档

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