IRHNS63164SCS
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IRHNS63164SCS

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IRHNS63164SCS
IRHNS63164SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    49 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    230 nC
  • QPL部件号
    2N7581U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    18 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNS63164SCS 为空间应用提供高性能电源。其额定电压为 150V，额定电流为 56A，采用 IR HiRel R6 技术并具有 SupIR-SMD 封装。其电气性能高达 300krad(Si) TID 分类，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低功率损耗。它保留了 MOSFET 的所有优点，例如电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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