现货，推荐

IRHNS63164SCS

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNS63164SCS
IRHNS63164SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    49 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    230 nC
  • QPL部件号
    2N7581U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    18 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNS63164SCS 为空间应用提供高性能电源。其额定电压为 150V，额定电流为 56A，采用 IR HiRel R6 技术并具有 SupIR-SMD 封装。其电气性能高达 300krad(Si) TID 分类，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低功率损耗。它保留了 MOSFET 的所有优点，例如电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }