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IRHNS67160SCS
商品详情
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产品类别Rad hard MOSFETS
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可选TID等级 (kRad(si))100 300
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封装SupIR-SMD
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IRHNS67160 N 沟道 MOSFET 是单个抗辐射器件，电气性能高达 100krad(Si) TID。其额定电压为 100V，额定电流为 56A，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。IR HiRel R6 技术为空间应用提供高性能功率 MOSFET。