IRHNS9A3264
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IRHNS9A3264

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IRHNS9A3264
IRHNS9A3264

商品详情

  • ESD等级
    3B
  • 最高 ID (@25°C)
    82 A
  • QG
    165 nC
  • QPL部件号
    2N7658U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    17 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
R9 技术是这款适用于空间应用的抗辐射 250V、82A N 沟道 MOSFET 的基础,具有更高的 SEE 抗扰度和高达 300krad(Si) TID 的电气性能。IRHNS9A3264 的低 RDS(on) 和快速开关时间可提高功率密度并降低高速开关应用中的功率损耗。在 SupIR-SMD 封装中,它保留了经过验证的 MOSFET 优势,如电压控制、快速开关和电气参数稳定性。

应用

文档

设计资源

开发者社区