IRHNS9A7064SCS

数据手册

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IRHNS9A7064SCS
IRHNS9A7064SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    100 A
  • ID (@25°C) max
    100 A
  • QG
    194 nC
  • QPL部件号
    2N7652U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    4 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
采用 SupIR-SMD 封装的 R9 N 沟道 MOSFET IRHNS9A7064SCS 是一款 60V、100A 抗辐射设备，专为空间应用而设计。通过提高对单粒子效应 (SEE) 的免疫力，它提供了高达 100krad (Si) TID、QIRL 分类的电气性能。低 RDS(on) 和快速开关时间使其成为高速开关应用的理想选择。

应用

文档

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设计资源

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