IRHY55130CM

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IRHY55130CM
IRHY55130CM

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7484T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    85 mΩ
  • TID max
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHY55130CM R5 N沟道MOSFET是一款抗辐射器件,具有100V和18A容量。该 COTS 器件采用 TO-257AA 封装,其电气性能高达 500krad(Si) TID。低 RDS(on) 和栅极电荷可降低功率损耗,从而实现空间应用的高性能和可靠性。开关应用(例如 DC-DC 转换器和电机控制)受益于低损耗。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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