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IRHY67C30CMSCS

数据手册
封装

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IRHY67C30CMSCS
IRHY67C30CMSCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    2.1 A
  • ID (@25°C) max
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    3000 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR HiRel R6 N 沟道 MOSFET 是一款具有 600V 和 3.4A 能力的抗辐射设备。其卓越的功率技术为高速开关应用提供了更高的功率密度和更快的开关时间。它具有低 RDS(on) 和高 SEE 免疫力，非常适合空间应用。其特点是LET高达90MeV·cm2/mg的有用性能，电气性能高达100krad（Si）TID，QIRL分类。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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