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IRHYB63130CM

数据手册
封装

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IRHYB63130CM
IRHYB63130CM
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    42 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYB63130CM R6 N 沟道 MOSFET 是单抗器件，额定电压为 100V。它可以处理最大 20A 的电流，并采用 TO-257AA 无凸缘低欧姆封装。其电气性能高达 300krad(Si) TID 等级，是空间应用的理想选择。其低 RDS(on) 和低栅极电荷使其适合于 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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