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IRHYB9A3034CM

数据手册
封装

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IRHYB9A3034CM
IRHYB9A3034CM
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    28 A
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7647D5
  • RDS (on) (@25°C) max
    19 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
R9 N 沟道 MOSFET IRHYB9A3034CM 是一种抗辐射器件，具有低 RDS(on) 和快速开关时间，非常适合空间应用。其超结技术可降低高速开关应用中的功率损耗并提高功率密度。其额定电压高达 60V、30A 和 300krad（Si）TID，并且对单粒子效应具有更高的免疫力。其电气性能特点是LET高达90MeV·cm2/mg的有用性能。

应用

文档

文档

设计资源

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