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IRHYS67230CM

数据手册
封装

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IRHYS67230CM
IRHYS67230CM
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    10 A
  • ID (@25°C) max
    16 A
  • QG
    42 nC
  • QPL Part Number
    2N7592T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    130 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Download Model
    https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRHYS67230CM-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4f9735213b1
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
R6 N沟道MOSFET IRHYS67230CM是一款耐辐射、高性能功率器件，最高电压为200V，电流容量为16A。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，这款 COTS MOSFET 非常适合用于 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用。IR HiRel R6 技术在卫星应用中提供了经过验证的性能和可靠性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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