IRHYS6S7230CMSCS

数据手册

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IRHYS6S7230CMSCS
IRHYS6S7230CMSCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    10 A
  • ID (@25°C) max
    16 A
  • QG
    42 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    130 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    3
  • Qualification
    QIRL
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHYS6S7230CMSCS 是单 N 沟道 MOSFET，可承受高达 100krad（Si）TID 辐射。其电压为 200V，容量为 16A，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制等空间应用。这款 R6 QIRL 分类设备具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可提供卓越的性能和可靠性。

应用

文档

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设计资源

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