IRHYS9A7234CM
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IRHYS9A7234CM

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封装

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IRHYS9A7234CM
IRHYS9A7234CM
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    10.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    17 A
  • QG
    34 nC
  • QPL部件号
    2N7649T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    110 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHYS9A7234CM R9 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，适用于空间应用，具有增强的抗单粒子效应 (SEE) 能力。该设备的最大电压为 250V，可处理高达 17A 的电流。凭借低 RDS(on) 和更快的开关时间，它可以降低功率损耗并提高高速开关应用中的功率密度。其电气性能可承受高达90MeV·cm2/mg的线性能量转移（LET）。

应用

文档

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