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IRHYS9A7234CM

数据手册
封装

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IRHYS9A7234CM
IRHYS9A7234CM
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    10.5 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    34 nC
  • QPL部件号
    2N7649T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    110 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYS9A7234CM R9 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，适用于空间应用，具有增强的抗单粒子效应 (SEE) 能力。该设备的最大电压为 250V，可处理高达 17A 的电流。凭借低 RDS(on) 和更快的开关时间，它可以降低功率损耗并提高高速开关应用中的功率密度。其电气性能可承受高达90MeV·cm2/mg的线性能量转移（LET）。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }