IRL3713

IRL3713

采用 TO-220AB 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRL3713
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    260 A
  • 最高 Ptot
    200 W
  • Qgd
    37 nC
  • QG (typ @4.5V)
    75 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    4 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.45 K/W
  • Special Features
    Wide SOA
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2.5 V
  • VGS(th)
    1.75 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

应用

文档

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