IRL40B215

IRL40B215

40V 逻辑电平单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-220 封装

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IRL40B215
IRL40B215

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    164 A
  • 最高 Ptot
    143 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @4.5V)
    56 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.7 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    3.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.05 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2.4 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.99
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 高额定电流
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100 kHz 开关应用进行优化的硅片
  • 与上一代硅片相比，体二极管更软
  • 行业标准通孔功率封装
  • 广泛的产品组合

产品优势

  • 高电流承载能力封装
  • 行业标准资质等级
  • 低频应用中的高性能
  • 提高功率密度
  • 标准引脚排列允许直接替换
  • 为设计人员提供灵活性，以选择最适合其应用的器件

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }