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IRL40DM247
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRL40DM247

停产
采用 DirectFET ™ ME 封装的 40V 单 N 通道 OptiMOS ™ 5 MOSFET
多个 OPN 可用

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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    211 A
  • 最高 IDpuls
    844 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    78 W
  • Qgd
    19 nC
  • QG (typ @4.5V)
    61 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    0.82 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    1.3 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.6 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET (M)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    3
  • 预算价格€/1k
    1.14

OPN
IRL40DM247XTMA1 IRL40DM247XUMA1
产品状态 discontinued discontinued
英飞凌封装名称 MG-WDSON-8 MG-WDSON-8
封装名 DirectFET (L) DirectFET (L)
封装尺寸 4800 4800
封装类型 TAPE & REEL TAPE & REEL
湿度 1 1
防潮封装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 MG-WDSON-8
封装名 DirectFET (L)
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 MG-WDSON-8
封装名 DirectFET (L)
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 双面冷却
  • 最低封装电感
  • 最低 FOMg [RDS(on) x Qg/Qgd]
  • 符合 RoHS 6/6 标准

产品优势

  • 改善散热
  • 实现高功率密度
  • 高效率
  • 环保

应用

文档

设计资源

开发者社区