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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRL40DM247

停产
采用 DirectFET ™ ME 封装的 40V 单 N 通道 OptiMOS ™ 5 MOSFET
数据手册

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IRL40DM247
IRL40DM247
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    211 A
  • IDpuls max
    844 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    78 W
  • Qgd
    19 nC
  • QG (typ @4.5V)
    61 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.82 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.3 mΩ
  • RthJC max
    1.6 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DirectFET (M)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    3
  • Budgetary Price €/1k
    1.14
OPN
IRL40DM247XTMA1 IRL40DM247XUMA1
产品状态 discontinued discontinued
英飞凌封装名称 MG-WDSON-8 MG-WDSON-8
封装名 DirectFET (L) DirectFET (L)
包装尺寸 4800 4800
包装类型 TAPE & REEL TAPE & REEL
湿度 1 1
防潮包装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 MG-WDSON-8
封装名 DirectFET (L)
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 MG-WDSON-8
封装名 DirectFET (L)
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 双面冷却
  • 最低封装电感
  • 最低 FOMg [RDS(on) x Qg/Qgd]
  • 符合 RoHS 6/6 标准

产品优势

  • 改善散热
  • 实现高功率密度
  • 高效率
  • 环保

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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