IRL6283M

采用 DirectFET MD 无铅封装的 20V 单 N 通道低逻辑电平 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRL6283M
IRL6283M
数据手册

商品详情

  • ID (@ TA=70°C) max
    30 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    38 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    211 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.1 W
  • Ptot max
    63 W
  • Qgd
    35 nC
  • QG
    105 nC
  • RDS (on) max
    0.75 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.87 mΩ
  • RDS (on) (@2.5V) max
    1.5 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    0.75 mΩ
  • RthJC max
    1.97 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    20 V
  • VGS max
    12 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DirectFET MD
  • Micro-stencil
    IRF66MD-25
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 环保产品
  • 符合 RoHs 规定，不含铅、溴化物和卤素
  • 极低的 RDS(on)
  • StrongIRFET ™

应用

文档

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设计资源

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