IRL7472L1
在产
符合RoHS标准
无铅

IRL7472L1

采用 DirectFET ™ L8 封装的 40V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET
数据手册

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IRL7472L1
IRL7472L1
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    645 A
  • 最高 Ptot
    341 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    3.8 W
  • Qgd
    87 nC
  • QG (typ @4.5V)
    220 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    0.45 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    0.7 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.44 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2.5 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    DirectFET
  • 封装
    DirectFET (L)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 微型模板
    IRF66L8-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 特殊功能
    Logic Level
  • 预算价格€/1k
    1.46
推荐的
OPN
IRL7472L1TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称 MG-WDSON-11
封装名 DirectFET (L)
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 MG-WDSON-11
封装名 DirectFET (L)
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 高额定电流
  • 双面冷却能力
  • 封装高度低至 0.7 毫米
  • 寄生 (1-2 nH) 封装电感
  • 100% 无铅（无 RoHS 豁免）

产品优势

  • 分布广泛
  • 行业标准资质水平
  • 高载流能力
  • 最佳热性能
  • 紧凑的外形
  • 高效率
  • 环保
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }