IRLB4132
在产
符合RoHS标准

IRLB4132

TO-220AB封装的30V N沟道功率MOSFET
数据手册
封装

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IRLB4132
IRLB4132
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    150 A
  • 最高 Ptot
    140 W
  • Qgd
    13 nC
  • QG (@4.5V)
    36 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    4.5 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.11 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    1.35 V 至 2.35 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level
  • 预算价格€/1k
    0.35
推荐的
OPN
IRLB4132PBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对 5V 栅极驱动电压进行了优化
  • 行业标准通孔功率封装
  • 高电流承载能力封装
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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