IRLL3303

IRLL3303

采用 SOT-223 封装的 30V 单 N 通道 IR MOSFET
数据手册

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IRLL3303
IRLL3303
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    6.5 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.1 W
  • Qgd
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    31 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    45 mΩ
  • 最高 RthJA
    60 K/W
  • Special Features
    Small Power
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • 最低 VGS(th)
    1 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-223
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
  • 行业标准表面贴装封装

产品优势

  • 增强耐用性
  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 低频应用中的高性能
  • 标准引脚排列允许直接替换

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区