IRLML0100TRPBF-1

采用 Micro 3 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRLML0100TRPBF-1
IRLML0100TRPBF-1

商品详情

  • ID (@25°C) max
    1.6 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    1.3 W
  • Qgd
    1.2 nC
  • QG (typ @4.5V)
    2.5 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    220 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    235 mΩ
  • RthJA max
    100 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    1.75 V
  • VGS max
    16 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-23
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Small Power
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 逻辑电平:针对 10V 栅极驱动电压(称为正常电平)进行了优化,并且能够在 4.5V 栅极驱动电压下驱动
  • 行业标准表面贴装封装
  • 可进行波峰焊

文档

设计资源

开发者社区

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