IRLML6302GPBF

IRLML6302GPBF

采用无卤素 Micro3 封装的 -20V 单 N 通道无铅 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRLML6302GPBF
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -0.78 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    0.54 W
  • Qgd
    1 nC
  • QG (typ @4.5V)
    2.4 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    600 mΩ
  • 最高 RthJA
    230 K/W
  • Special Features
    Small Signal
  • 最高 VDS
    -20 V
  • VGS(th) 范围
    -0.7 V 至 -1.5 V
  • VGS(th)
    -1.1 V
  • 最高 VGS
    12 V
  • 封装
    SOT-23
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区