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IRLMS2002
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRLMS2002

停产
采用 TSOP-6（Micro 6）封装的 20V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRLMS2002
IRLMS2002
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    6.5 A
  • 最高 Ptot
    2 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • Qgd
    3.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    15 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    30 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • Special Features
    Small Power
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    20 V
  • VGS(th) 范围
    0.6 V 至 1.2 V
  • VGS(th)
    0.9 V
  • 最高 VGS
    12 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TSOP-6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.16

OPN
IRLMS2002TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSOP6L
封装名 TSOP-6
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSOP6L
封装名 TSOP-6
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 符合 JEDEC 的产品认证
  • 针对应用进行了优化的硅片
  • 行业标准表面贴装功率

产品优势

  • 增强坚固性
  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质级别
  • 支持各种应用
  • 标准引脚排列，直接替换

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区