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IRLS3813
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRLS3813

停产
采用 D2-Pak 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
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封装
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IRLS3813
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    247 A
  • 最高 IDpuls
    850 A
  • 最高 Ptot
    195 W
  • Qgd
    11 nC
  • QG (typ @4.5V)
    55 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.95 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.64 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    1.35 V 至 2.35 V
  • VGS(th)
    1.85 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
IRLS3813TRLPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
晶圆产地
IL
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
晶圆产地
IL
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应用

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