不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IRS2003S

对于新设计，我们推荐 IRS2007S
数据手册
封装
每件.
有存货

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IRS2003S
IRS2003S
每件.
数据手册

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • Turn Off Propagation Delay
    150 ns
  • Turn On Propagation Delay
    680 ns
  • Voltage Class
    200 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    10 V to 20 V
  • Output Current (Source)
    0.29 A
  • Output Current (Sink)
    0.6 A
  • Channels
    2
  • Configuration
    Half Bridge
  • Isolation Type
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
OPN
IRS2003STRPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 N/A
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
200 V 半桥驱动器 IC，具有典型的 0.29 A 拉电流和 0.6 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，用于 MOSFET。还提供 8 引脚 PDIP 封装。

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 完全可在 +200 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 欠压锁定
  • 3.3，5、& 15 V 逻辑输入兼容。
  • 交叉传导预防逻辑
  • 匹配的道具。两个通道均延迟。
  • 内部设置死区时间
  • 高端输出与输入同相
  • 低端输出。与 in 不同相。

图表

Circuit_Diagramm_IRS2003
Circuit_Diagramm_IRS2003
Circuit_Diagramm_IRS2003 Circuit_Diagramm_IRS2003 Circuit_Diagramm_IRS2003
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