IRS21814S
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IRS21814S

600 V 高端和低端栅极驱动器 IC，带有单独的逻辑接地引脚
数据手册
封装

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IRS21814S
IRS21814S
数据手册


商品详情

  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • 关断传播延迟
    220 ns
  • 开通传播延迟
    180 ns
  • 拓扑结构
    High-side and low-side
  • 电压等级
    600 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    10 V 至 20 V
  • 输出电流 (Sink)
    2.3 A
  • 输出电流 (Source)
    1.9 A
  • 通道
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)

推荐的
OPN
IRS21814STRPBF
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
SOIC 14N
封装名 N/A
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY,TH
晶圆产地
DE,GB,TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 14N
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY,TH
晶圆产地
DE,GB,TW
EiceDRIVER ™ 600 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC，具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流，采用 14 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 14 引脚 PDIP、14 引脚 MLPQ 4x4、8 引脚 SOIC 和 8 引脚 PDIP。对于采用我们的 SOI 技术的新版本，我们推荐 2ED21814S06J，它提供集成自举二极管、更好的稳健性和更高的开关频率

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 完全可在 +600 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容
  • 匹配的道具。两个通道均延迟。
  • 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移
  • 较低 di/dt 栅极驱动器
  • 输出源电流能力 1.4 A
  • 输出吸收电流能力 1.8 A

图表

Circuit_Diagramm_IRS21814
Circuit_Diagramm_IRS21814
Circuit_Diagramm_IRS21814 Circuit_Diagramm_IRS21814 Circuit_Diagramm_IRS21814
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