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IRSM005-800MH
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已停产
符合RoHS标准
无铅

IRSM005-800MH

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CIPOS ™ Nano 40 V、0.005 Ω半桥智能功率模块
数据手册
封装
多个 OPN 可用

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IRSM005-800MH
IRSM005-800MH
数据手册


商品详情

  • Pmot (10kHz)
    165 W
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    0.005 Ω
  • 产品名称
    IRSM005-800MH
  • 产品类别
    Intelligent Power Modules (IPM)
  • 产品组
    CIPOS™ Nano
  • 其他信息
    Electrical
  • 内置NTC
    No
  • 加密
    No
  • 开关器件类型
    MOSFET
  • 拓扑结构
    Half-Bridge
  • 电压等级
    40 V
  • 语言
    PLECS
  • 质量等级
    Industrial
  • 额定电流
    80 A

OPN
IRSM005-800MHTR IRSM005-800MH
产品状态 discontinued discontinued
英飞凌封装名称
QFN 7X8 27L
QFN 7X8 27L
封装名 QFN 7x8 QFN 7x8
封装尺寸 2000 1300
封装类型 TAPE & REEL TRAY
湿度 3 3
防潮封装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
封装产地
TH
MY
晶圆产地
TW
GB
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
QFN 7X8 27L
封装名 QFN 7x8
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
QFN 7X8 27L
封装名 QFN 7x8
封装尺寸 1300
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
GB
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CIPOS ™ Nano 40 V、0.005 Ω 半桥 MOSFET 智能功率模块采用 QFN 7x8 封装，通过小型 QFN 封装中的坚固 IC 提供超紧凑、半桥拓扑解决方案，适用于空间受限的小型家电、低功率驱动器。

特性

  • 基于低 RDS(on) 沟槽 FREDFET
  • 欠压锁定
  • Prop.延迟与定义的规范匹配
  • 3.3，兼容 5 和 15 V 逻辑输入。
  • 独立。驱动同相 w. 逻辑输入。
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • M.额定功率高达 165 W@10 kHz

图表

Internal_IRSM005-800MH
Internal_IRSM005-800MH
Internal_IRSM005-800MH Internal_IRSM005-800MH Internal_IRSM005-800MH
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