现货，推荐
符合RoHS标准

ISC012N04LM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 40 V 逻辑电平，采用 SuperSO8 封装
数据手册
封装

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ISC012N04LM6
ISC012N04LM6
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    238 A
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • QG (typ @4.5V)
    25 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.2 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.7 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Fused leads
  • 预算价格€/1k
    0.57
推荐的
OPN
ISC012N04LM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
逻辑电平为 40V 的 ISC012N04LM6 OptiMOS ™ 6 正在为分立功率 MOSFET 设定新的技术标准。与其他产品相比，英飞凌领先的薄晶圆技术具有显著的性能优势，并针对各种应用和电路进行了优化，例如服务器、台式电脑、无线充电器、快速充电器和 ORing 电路中的开关电源 (SMPS) 中的同步整流。

特性

  • 逻辑电平栅极驱动能力
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 175°C 结温额定值
  • 100% 雪崩测试
  • 符合 IEC61249-2-21 标准的无卤素
  • 针对同步应用进行了优化

产品优势

  • 栅极驱动灵活性
  • 最高系统效率
  • 提高运行裕度
  • 坚固可靠的性能
  • 环保
  • 提高功率密度，低过冲

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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