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符合RoHS标准

ISC015N03LF2S

StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 30 V，采用 SuperSO8 5x6 封装
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ISC015N03LF2S
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    214 A
  • QG (typ @4.5V)
    24 nC
  • QG (typ @10V)
    50 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.6 mΩ
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.85 V
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
受到推崇的
OPN
ISC015N03LF2SATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 N/A
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 -
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 30 V 技术采用 SuperSO8 5x6 封装，具有一流的 1.5 mOhm RDS(on)。该产品适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，ISC015N03LF2S 实现了高达 40% 的 RDS(on) 改善，同时实现了高达 60% 的 FOM 增强和出色的稳健性。

特性

  • 通用产品
  • 出色的稳健性
  • 卓越的性价比
  • 分销商处广泛供应
  • 标准封装和引脚分配
  • 高制造和供应标准

产品优势

  • 适用于广泛的应用
  • 可靠的性能
  • 高品质和有竞争力的价格
  • 便捷的选择和购买
  • 易于设计
  • 简化的产品服务

文档

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设计资源

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