ISC016N08NM8
现货，推荐
符合RoHS标准

ISC016N08NM8

OptiMOS™ 8 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
数据手册

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ISC016N08NM8
ISC016N08NM8
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    241 A
  • 最高 IDpuls (@25°C)
    964 A
  • 最高 Ptot (@25°C)
    211 W
  • QG (typ @10V)
    76 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.64 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Fused leads
推荐的
OPN
ISC016N08NM8ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 FL
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 FL
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
This OptiMOS™ 8 is a normal level 80 V MOSFET in SuperSO8 packaging with 1.6 mOhm on-resistance.

特性

  • Very low on-resistance
  • High-performance silicon technology
  • High current carrying capability
  • Industry-standard footprint

产品优势

  • Highest efficiency & power density
  • High system reliability
  • Thermal robustness
  • 175°C junction temperature rating
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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