现货，推荐
符合RoHS标准

ISC037N13NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 135 V 正常电平，采用 SuperSO8 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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ISC037N13NM6
ISC037N13NM6
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    172 A
  • QG (typ @10V)
    82 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.7 mΩ
  • VDS max
    135 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Fused leads
  • 预算价格€/1k
    1.78
推荐的
OPN
ISC037N13NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ 6 135 V MOSFET 技术是一种针对电机驱动器优化的经济高效的解决方案，但也适用于 UPS 等其他应用。 与 OptiMOS ™ 5 150 V 技术相比，性能得到了显著提升：二极管反向恢复电荷 (Qrr) 减少高达 70%，峰值反向恢复电流 (Irrm) 降低 45%，有助于降低 EMI 和降低功率损耗。 栅极阈值电压范围减少 38%，从而改善了动态电流共享，提高了可靠性。

特性

  • 导通电阻降低高达 48%
  • 栅极阈值电压扩展降低高达 38%
  • 反向恢复电荷 (Qrr) 减少高达 70%
  • 峰值反向恢复电流降低高达 45%
    (-Irrm)

产品优势

  • 采用同类最佳的 SuperSO8 实现尺寸减小
  • 降低系统成本
  • 减少并联需求
  • 降低 VDS 过冲和开关损耗
  • 更高功率密度的设计

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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