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OptiMOS ™低压功率 MOSFET - 完美满足充电器和适配器设计的需求
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ISC0602NLS
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    66 A
  • QG (typ @4.5V)
    11 nC
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    7.3 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    9.5 mΩ
  • Special Features
    Logic Level
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    1.1 V 至 2.3 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.48

OPN
ISC0602NLSATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,MY
晶圆产地
DE,MY
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,MY
晶圆产地
DE,MY
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OptiMOS ™ PD 功率 MOSFET 是英飞凌针对 USB-PD 和适配器应用的产品组合。SuperSO8 封装中的 ISC0602NLS 可实现快速提升并优化交货时间。用于电力传输的 OptiMOS ™低压 MOSFET 可减少设计中的零件数量，从而降低 BOM 成本。OptiMOS ™ PD 的特点是采用紧凑、轻便的封装，提供优质的产品。

特性

  • 逻辑电平可用性
  • 低导通电阻 RDSon
  • 输出和反向恢复电荷
  • 出色的热性能
  • 提供 2 种小型标准封装

产品优势

  • 交货周期短
  • 快速报价响应
  • 最佳效率和功率密度
  • 绿色、轻便、紧凑的产品
  • 卓越的性价比

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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