现货，推荐
符合RoHS标准

ISK018NE1LM7

OptiMOS ™ 7 功率 MOSFET 15 V，采用 PQFN 2x2
数据手册
封装
每件.
有存货

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ISK018NE1LM7
ISK018NE1LM7
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    129 A
  • QG (typ @4.5V)
    7.5 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.15 mΩ
  • VDS max
    15 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    PQFN 2 x 2 (DFN2020)
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Switching optimized
  • 预算价格€/1k
    0.37
推荐的
OPN
ISK018NE1LM7ATSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VSON-6
封装名 PQFN 2 x 2
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VSON-6
封装名 PQFN 2 x 2
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
ISK018NE1LM7 是业内首款额定电压为 15 V 的沟槽功率 MOSFET 产品组合的一部分，具有 2.15 mOhm 的超低 RDS(on)，同时提供超过 500 A 的脉冲电流能力，典型结至外壳底部热阻 (RthJC) 为 1.6 K/W。小型 4 mm2 封装尺寸可显著节省空间，并具有 PCB 布局灵活性，同时改善了外形尺寸。

特性

  • 全新 15 V 沟槽功率 MOSFET 技术
  • RDS(on) 为 2.15 mOhm
  • Qg 为 9 nC，QOSS 为 8.9 nC
  • 超低封装寄生参数
  • 小封装外形

产品优势

  • 高比率 DC-DC 转换的最佳匹配
  • 降低传导损耗
  • 高效率
  • 最佳开关性能
  • 显著节省空间

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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