ISK018NE1LM7
现货，推荐
符合RoHS标准

ISK018NE1LM7

OptiMOS ™ 7 功率 MOSFET 15 V，采用 PQFN 2x2
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

ISK018NE1LM7
ISK018NE1LM7
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    129 A
  • QG (typ @4.5V)
    7.5 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    2.15 mΩ
  • 最高 VDS
    15 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    PQFN 2 x 2 (DFN2020)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level, Switching optimized
  • 预算价格€/1k
    0.37
推荐的
OPN
ISK018NE1LM7ATSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VSON-6
封装名 PQFN 2 x 2
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VSON-6
封装名 PQFN 2 x 2
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
ISK018NE1LM7 是业内首款额定电压为 15 V 的沟槽功率 MOSFET 产品组合的一部分，具有 2.15 mOhm 的超低 RDS(on)，同时提供超过 500 A 的脉冲电流能力，典型结至外壳底部热阻 (RthJC) 为 1.6 K/W。小型 4 mm2 封装尺寸可显著节省空间，并具有 PCB 布局灵活性，同时改善了外形尺寸。

特性

  • 全新 15 V 沟槽功率 MOSFET 技术
  • RDS(on) 为 2.15 mOhm
  • Qg 为 9 nC，QOSS 为 8.9 nC
  • 超低封装寄生参数
  • 小封装外形

产品优势

  • 高比率 DC-DC 转换的最佳匹配
  • 降低传导损耗
  • 高效率
  • 最佳开关性能
  • 显著节省空间

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区