现货，推荐
符合RoHS标准

ISK024NE2LM5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 25 V、2.4 mΩ，采用 PQFN 2x2 封装，尺寸最小
数据手册
封装

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ISK024NE2LM5
ISK024NE2LM5
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    103 A
  • IDpuls (@25°C) max
    410 A
  • Ptot max
    11 W
  • QG (typ @4.5V)
    6.9 nC
  • QG (typ @10V)
    14.8 nC
  • RDS (on) max
    2.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    3.4 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    2.4 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Package
    PQFN 2 x 2 (DFN2020)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.23
受到推崇的
OPN
ISK024NE2LM5ATSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VSON-6
封装名 PQFN 2 x 2
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VSON-6
封装名 PQFN 2 x 2
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
凭借 25V 和 30V 产品系列中的全新 BIC OptiMOS ™ 5，英飞凌提供了小尺寸、高效率的一流解决方案，使其成为无线充电、负载开关和低功耗 DCDC 应用等应用的完美解决方案。小巧的 4 mm2 面积 PQFN 2x2 封装结合出色的电气性能，有助于改善终端应用的尺寸，并具有 2.4 mΩ 的低 RDS(on)。

特性

  • 同类最佳的 PQFN 2x2 封装产品
  • 低热阻 PQFN 2x2 封装
  • 最高的性能和功率密度
  • PQFN 2x2 封装中最低的 RDS(on)
  • 100% 雪崩测试
  • 无铅电镀；符合 RoHS 标准

产品优势

  • 优化低压过冲
  • 降低系统成本
  • 显著节省空间
  • 紧凑的 PCB 设计
  • 占用空间小，易于设计

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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