ISP670P06NMA
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

ISP670P06NMA

采用 SOT-223 封装的 60 V P 沟道功率 MOSFET，适用于汽车应用
数据手册
封装

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ISP670P06NMA
ISP670P06NMA
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -6.4 A
  • 最高 IDpuls
    -25.6 A
  • QG (typ @10V)
    -36 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    67 mΩ
  • 最高 VDS
    -60 V
  • VGS(th) 范围
    -2.1 V 至 -4 V
  • 封装
    SOT-223
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    P
推荐的
OPN
ISP670P06NMAXTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
ISP670P06NMA 具有 0.167 Ohm 的低 RDS(on)，可轻松实现功率损耗管理，使其成为针对汽车应用的 SOT-223 封装中最佳的 MOSFET。P 沟道器件的主要优点是降低了设计复杂性。此外，这种 MOSFET 的雪崩耐受能力使其适用于高要求的应用。

特性

  • 汽车资质
  • 产品组合中最低的 RDS(on)
  • 支持多种应用程序
  • 坚固、可靠的性能

产品优势

  • 质量和可靠性
  • 低传导损耗
  • 较长的生产寿命和支持
  • 延长电池寿命
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }