现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

ISP75DP06LM

常规和逻辑电平的 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性
数据手册
封装
每件.
有存货

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ISP75DP06LM
ISP75DP06LM
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    -1.1 A
  • IDpuls max
    -4.4 A
  • Ptot max
    4.2 W
  • QG (typ @10V)
    -4 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1000 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    750 mΩ
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -1 V to -2 V
  • Package
    SOT-223
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    P
  • Special Features
    Small Power
  • Budgetary Price €/1k
    0.1
受到推崇的
OPN
ISP75DP06LMXTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOT223-4
封装名 SOT-223
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 60 V 采用 SOT-223 封装，适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用，可降低中低功率应用的设计复杂性。易于与 MCU 接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。可提供正常水平，具有较宽的 RDS(on) 范围，并可提高低负载下的效率。

特性

  • VDS = -60V
  • 宽RDS(on)范围
  • 逻辑电平可用性

产品优势

  • 轻松与 MCU 接口
  • 低负载下效率更高
  • 快速切换
  • 抗雪崩能力强

文档

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