现货，推荐
符合RoHS标准

ISZ034N06LM5

采用一流的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60V，采用高性能 PQFN 3.3x3.3mm 封装，性能得到提升
数据手册
封装
每件.
有存货

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ISZ034N06LM5
ISZ034N06LM5
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    112 A
  • QG (typ @4.5V)
    20 nC
  • QG (typ @10V)
    40 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    4.2 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • Package
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.64
受到推崇的
OPN
ISZ034N06LM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ 5 60V 功率 MOSFET ISZ034N06LM5 非常适合优化效率和功率密度解决方案，例如开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流、电信模块和服务器应用以及便携式充电器。仅为 3.3x3.3mm 的小尺寸加上出色的电气性能进一步有助于在最终应用中实现一流的功率密度和外形尺寸改进。

特性

  • 同类最佳 (BIC) 产品
  • 实现最高功率密度
  • 小型 PQFN 3.3 x 3.3 封装
  • 超低电荷
  • 高性能应用的理想选择
  • 符合 RoHS 标准 - 无卤素

产品优势

  • 最高效率
  • 更少并联需求
  • 极低的电压过冲
  • 减少对缓冲电路的需求
  • 降低系统成本
  • 小型封装，灵活布线

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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