ISZ143N13NM6
现货，推荐
符合RoHS标准

ISZ143N13NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 135 V 正常电平 PQFN 3.3x3.3包裹
数据手册
封装

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ISZ143N13NM6
ISZ143N13NM6
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    54 A
  • 最高 IDpuls
    216 A
  • QG (typ @10V)
    21 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    14.3 mΩ
  • 最高 VDS
    135 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.96
推荐的
OPN
ISZ143N13NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 N/A
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 6 135 V 适用于高功率电机驱动应用，例如 LEV、电动叉车、电动和园艺工具，也适用于主要使用 72-84 V 电池的 UPS 应用。 该产品有效弥补了 120 V 和 150 V MOSFET 之间的差距，并在 RDS(on) 和成本方面提供了显著的改进，有助于提高系统效率。

特性

  • 业界最低的 135 V 导通电阻 (RDS(on)
  • 低 Vgs(th) 跨度
  • 超低反向恢复电荷 (Qrr)

产品优势

  • 降低系统成本
  • 减少并联需求
  • 降低 VDS 过冲和开关损耗
  • 更高功率密度设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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