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JANSF2N7483T3

数据手册
封装

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JANSF2N7483T3
JANSF2N7483T3
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    18 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • QG
    45 nC
  • QPL Part Number
    2N7483T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    40 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-257AA
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET JANSF2N7483T3 是一款专为空间应用而设计的高性能功率 MOSFET。该单 N 通道器件额定电压为 60V，额定电流为 18A，非常适合用于 DC-DC 转换器和电机控制。经过 TID 和 SEE 测试，它可提供高达 300krad（Si）的可靠电气性能，并采用紧凑的 TO-257AA 封装。

应用

文档

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设计资源

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